led面板灯!LED灯珠照明技术路线改进路线

来源：行业资讯热门：直下式面板灯发布时间：2023-09-14

　　LED灯珠照明技术路线改进路线

　　LED灯珠照明手艺线路包罗了外延、衬底、封装、白光LED灯珠种类等多方面。红色、绿色、蓝色LED灯珠是由磷、砷、氮等的III-V族化合物如砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)和氮化镓(GaN)等半导体系体例成的。

　　1、LED灯珠外延手艺

　　近十多年业界经由过程改良外延发展工艺使得位错密度获得了较年夜的改良。可是主流白光照明用蓝光LED灯珠的氮化镓GaN与衬底间晶格和热膨胀系数的不匹配仍致使了很高的位错密度。一向以来,经由过程研究LED灯珠外延手艺来最年夜限度地下降缺点密度、提高晶体质量是LED灯珠手艺寻求的方针。

　　LED灯珠的外延片是LED灯珠的焦点部门,LED灯珠的波长、正向电压、亮度或发光量等光电参数根基上都取决于外延片材料。外延手艺和装备是外延片制造手艺的要害,金属有机物气相沉积手艺(MOCVD)是发展III-V族、II-VI族和合金薄层单晶的首要方式。外延片的位错作为不发光的非辐射复合中间,对器件的光电机能具有很是主要的影响。

　　LED灯珠外延布局及外延手艺研究 :

　　①LED灯珠常规的发展手艺包罗多量子阱前发展低In组分的InGaN预阱释放应力,并充任载流子“蓄水池”,再升温发展GaN垒层以提高垒层的晶体质量,发展晶格匹配的InGaAlN垒层或发展应力互补的InGaN/AlGaN布局等。量子阱有源区InGaN/GaN量子阱有源区是LED灯珠外延材料的焦点,发展InGaN量子阱的要害是节制量子阱的应力,减小极化效应的影响。

　　②颠末多年的成长,LED灯珠的外延层布局和外延手艺已比力成熟,LED灯珠的内量子效力已可达90%以上,红光LED灯珠的内量子效力乃至已接近100%。但在年夜功率LED灯珠研究中,发现年夜电流注入下的量子效力降落较显著,被称为Droop效应。GaN基LED灯珠的Droop效应的缘由比力偏向因而载流子的局域化,从有源区泄露或溢出,和俄歇复合。尝试发现采取较宽的量子阱来下降载流子密度和优化P型区的电子反对层都可减缓Droop效应。